Die Anwendung der wegbereitenden und hocheffizienten Passivierungskontakttechnologie und die überarbeitete Anwendung einer laminierten Nano-Tunnel-Oxidschicht sowie der Schicht zur Übertragung der Ladungsträgerselektivität haben die technische Herausforderung überwunden, dass Leitfähigkeit und Passivierung nicht zeitgleich verbesserbar sind. Die daraus resultierende Verbesserung der Passivierung und Leitfähigkeit hat den Umwandlungswirkungsgrad der Zellen drastisch verbessert.

Die dielektrische Gradientenfilmtechnologie wird auf den Vorderseiten der Zellen zur Passivierung, Antireflexion und Extinktion (optische Dichte) sowie zur Widerstandsfähigkeit gegen potenzialinduzierte Degradation (PID) eingesetzt. Außerdem verhindert diese Technologie, dass sich die Farbe der Zellen bei der Laminierung verändern und eine einheitliche Farbe der Zellen sowie ein einheitliches und attraktives Erscheinungsbild der Module gewährleistet ist.

Die Technologie mit ultradünnem Polysilizium wird eingesetzt, um die störende Absorption von langwelligem einfallendem Licht durch Polysilizium zu minimieren sowie die Stromdichte deutlich zu erhöhen. Die Rückseite ist mit einer abgestuften dreidimensionalen Morphologie versehen, um die interne Reflexion zu verbessern, die Eigenschaften des rückseitigen Metallkontakts zu steigern und den Wirkungsgrad und die Bifazialität der Zelle zu erhöhen.

Eine neue Passivierungstechnologie des Zellrands sowie Passivierungsmaterialien für spezielle Feldeffekte kommen zur Behandlung der Zellseiten, zur Reparatur der Passivierungsschicht nach einem Zellriss und schließlich zur Passivierung der Seitendefekte zur Anwendung, um den durch den Zellriss verursachten Wirkungsgradverlust zu minimieren.

Es kommt die SMBB-Metallisierungstechnologie zum Einsatz und es werden feinere Gitterlinien eingesetzt, um die Okklusion und den Leitungsabstand zu verringern. Diese Technologie hat die Zurückhaltung gegenüber der Serie effektiv reduziert und die Zuverlässigkeit durch die Verbesserung der Widerstandsfähigkeit von versteckten Rissen, Gitterbrüchen und Zellbrüchen erhöht.

Die zerstörungsfreie Zellschneidetechnik wird zur Vermeidung von mechanischen Beschädigungen eingesetzt, zur Erzielung eines hohen Wirkungsgrads und zur Reduzierung der Umweltverschmutzung. Sie ist ebenfalls mit 166/182/210 mm großen Zellen kompatibel.

Die Halbzellentechnologie kommt zum Einsatz, um die Stromstärke zu halbieren, den Widerstand zu verringern, den Zellenabstand zu vergrößern und eine gleichmäßige Reflexion zu erreichen. Die Hot-Spot-Temperatur von Halbzellen-Modulen ist um 20 °C geringer als die von Vollzellen-Modulen. Die SMBB-Technologie findet mithilfe von rundem Lötdraht Anwendung, um die Nutzung des einfallenden Lichts um 70 % zu verbessern, was zu einer Leistungssteigerung von 1-1,5 % beisteuert.